Abtragen von Schichten (insbesondere SiO₂) durch Einsatz korrosiver Chemikalien. Weitere Informationen hier

verwendet werden korrosive Gase wie HCl, WF₆ aber auch fluorierte Kohlenstoffverbindungen wie z.B. C₂F₆, C₄F₈. Sie sind an sich nicht korrosiv, setzen aber in einer Gasentladung sehr reaktive Fluorid-Ionen frei.

Übliche Verkabelungsmethode um vielfältige Informationen aus einem Bereich übertragen zu können. Im Unterschied zur herkömmlichen "Klemmleisten-Verkabelung" ist hier nur ein Stammkabel notwendig, über das nacheinander alle Informationen übertragen werden können. Über ein und denselben Bus können auch mehrere Equipments angeschlossen werden, die unter Verwendung unterschiedlichen Adressen ("Bushaltestellen") nacheinander "angefahren" werden und die Informationen "einsammeln".

Steuerungs- und Bedienteil eines Gaskabinetts oder einer VMB. Der Controller ist vollständig vom Gasteil eines Gaskabinetts oder einer VMB getrennt. Hier laufen alle automatisierten Prozesse ab, Informationen werden aus dem Gasteil aufgenommen (Drücke etc.) und zur Anzeige gebracht.

Aufbringen dünner Schichten auf einem Substrat durch Abscheidung der aufzubringenden Stoffe aus der Gasphase. Weitere Informationen hier

Schaltschrank mit SPS (Speicherprogrammierbare Steuerung), der der Aufnahme sämtlicher Datenleitungen (z.B. aus der Gasversorgung) dient, um die Daten anschließend an das Monitoring zu übertragen.

Dotierungstechnik, bei der im ersten Schritt Fremdatome auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht werden. Im 2. Schritt diffundieren diese Fremdatome bei hoher Temperatur in das Kristallgitter des Halbleiters.

Gezielter Einbau von Fremdatomen in das Kristallgitter eines Halbleiters mit dem Ziel die elektrische Leitfähigkeit des Halbleiters zu verändern. Siehe auch n-Dotierung und p-Dotierung.

Stillstandszeit. Bezeichnung des Zeitraumes, in dem ein (Gas-)System nicht in Betrieb ist. Man unterscheidet zwischen "scheduled downtimes", erwartungsgemäßen, geplanten Stillstandszeiten für Wartung oder sonstigen Modifikationen und den "unscheduled downtimes", den ungeplanten Ausfällen wie Not-Aus, Havarien etc. Downtime wird oftmals prozentual oder relational angegeben, z. B. bedeutet eine Downtime von 5 ppm eine Stillstandszeit von 5 (10-6) Zeiteinheiten der geplanten Einsatzzeit.

Rohrleitungs- und Armaturenpart eines Gaskabinettes. Hier wird das aus der Druckgasflasche kommende Gas auf den Betriebsdruck entspannt, gefiltert und aufbereitet.

Abscheidung von monokristallinen (Glo-monokristallines Silizium) dotierten Si-Schichten auf einer monokristallinen Silizium-Unterlage. Die Unterlage prägt der abgeschiedenen Schicht ihre Kristallstruktur auf. Eingesetzte Gase: Siliziumtetrachlorid, Wasserstoff, arsen- oder phosphorhaltige Gase. Weitere Informationen hier.

Electronic specialty gas. Reinstgase in Druckgasflaschen für die Halbleiterindustrie.

IT-Begriff: Bereich der Equipments, die an ein Monitoring angeschlossen werden sollen. Zur Feldebene gehören z.B: Gaskabinette, VMBs, Tanks etc. (Eingangsseite des Datenkonzentrators).

Technik, zur Strukturierung von Halbleitern. Die SiO₂-Schicht auf einem Wafer wird mit Fotolack überzogen und dann durch eine Maske an einigen Stellen belichtet an anderen nicht. Von den belichteten oder unbelichteten Stellen (je nach Art des Fotolackes) wird der Fotolack durch Lösungsmittel abgelöst. Die darunterliegende SiO₂ Schicht kann dann im anschließenden Ätzprozess weggeätzt werden und das freigelegt Silizium dotiert werden.

Sicherheitsgasschrank zur Aufnahme von Druckgasflaschen. Besteht hauptsächlich aus dem Gasschrank, dem Entspannungstableau und dem Controller.

Halbleiter

Anschluss von Maschinen an die Gasversorgungsanlagen.

Dotierungstechnik. Dabei werden in einem Elektrischen Feld beschleunigte Ionen auf die Halbleiteroberfläche geschossen. Aufgrund ihrer Bewegungsenergie dringen sie in das Kristallgitter des Halbleiters ein. Weitere Informationen hier.

IT-Begriff: Ebene in der die Informationen aus der Gasversorgung aufbereitet und visualisiert sind. (Softwareebene). Zur Kommunikationsebene gehören das Monitoringsystem, die Bedienstationen, Server etc. (Ausgangsseite des Datenkonzentrators).

Aufbringen einer Metallschichten zur Herstellung von leitenden Verbindungen, z. B. für Anschlüsse. Diese Metallschichten werden dann über Fotolithographie und Ätztechniken so bearbeitet, dass nur die gewünschten Leiterbahnen stehen bleiben.

Softwarebasiertes Visualisierungssystem. Dient der zentralen Erfassung aller prozessrelevanten Informationen aus einem Bereich (z.B. der Gasversorgung). In einem Monitoringsystem werden Alarme generiert, Trends erfasst statistische Auswertungen durchgeführt u.ä. Schalthandlungen vom Monitoringsystem an die Gasversorgung werden in der Regel nicht durchgeführt.

Einbau von 5-wertigen Elementen (wie Antimon, Arsen, Phosphor oder Wismuth )in das Kristallgitter des Siliziumkristalles. Dadurch wird die elektrische Leitfähigkeit des Siliziums durch überschüssige negative Leitungselektronen verändert. Dotierung

Herstellung einer Siliziumoxidschicht, z.B. als Isolationsschicht oder Schutzschicht. Weitere Informationen hier

Einbau von 3-wertigen Elementen (wie Aluminium, Bor, Gallium oder Indium) in das Kristallgitter des Siliziumkristalles. Dadurch wird die elektrische Leitfähigkeit des Siliziums durch ortsveränderliche Elektronenfehlstellen, die wie positive Ladungsträger wirken, verändert. Dotierung

siehe Monitoring

für die n-Dotierung bei der Ionenimplantation

zum Ätzen von Siliziumnitridschichten

Ätzen mit Gasen (im Gegensatz zum nasschemischen Ätzen mit flüssigen Chemikalien)

Precursor sind Flüssigchemikalien, die bei neuen CVD-Prozessen mit kleinen Strukturbreiten (<90 nm) als Beschichtungsmaterial eingesetzt werden. Wir bieten Ihnen auch Systeme zur Precursor-Versorgung.

zum Reinigen von Silizium-Wafern und zum Ätzen von Metallen

Entfernen photoresistenter Schichten und Reinigen von Wafern.

als Passivierungs-, Schutz- oder Isolierschicht

als Passivierungs-, Schutz- oder Isolierschicht

Flüssigkeit, die mit einem Schleifmittel versetzt ist.

Eine Linie in einer VMB. Jedem Stick ist ein Prozesstool zugeordnet.

siehe Monitoring

siehe Entspannungstableau

Prozessequipment des Halbleiterunternehmens, an das die (Gas-) Versorgungen angeschlossen werden

Berührungsempfindlicher Bildschirm. "State of the art"-Eingabefeld bei Gaskabinetten (z.T. auch bei VMBs). Dient gleichzeitig als Eingabefeld für den Bediener und als Ausgabebildschirm

Reinstgasverschraubung. Wird im Halbleiterbereich fast ausschließlich für lösbare Verbindungen von Rohrleitungen, Fittings und Armaturen eingesetzt.

Unterverteiler der vom Gaskabinett kommenden Prozessgasleitung auf mehrere Gaslinien.