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Hier finden Sie alle Fachartikel, Produktinformationen und Broschüren des Bereichs Halbleiter & Photovoltaik zum Download.
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01.10.2006: Air Liquide Electronics erhielt Auszeichnung von Advanced Micro Devices
Jedes Jahr verleiht unser Kunde AMD, ein weltweit führender Halbleiterhersteller, im Rahmen seines "World Class Supplier Programms" den "World Class Supplier Achievement Award"...
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01.02.2005: Turning the heat down
Fachartikel (von Aviza Technology & Air Liquide Electronics) zum Einsatz und Nutzen von Low TSiN-Precursorn in der Halbleiterindustrie (Feb. 2005, engl.).
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29.11.2004: Aviza Technology introduces new low temperature silicon nitride process
Fachartikel (B.T. Fisher, Aviza Technology und J. Anselmo, Loomis Group) zum neuen LPCVD-Prozess für Silikon-Nitrid (SiN) bei niedriger Temperatur (engl.).
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01.09.2001: Bulk-Kabinette für Spezialgase
Fachartikel (ALE NEWS 9/01). Flüssig-Versorgungssysteme für korrosive Spezialgase: Einsatz bei großen Entnahmemengen (engl.).
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01.06.2001: Gasversorgungssysteme für Precursors in der Primärelektronik
Fachartikel (Semiconductor Fabtech edition 14, Summer 2001). Automatisierte, bedienerfreundliche Versorgungssysteme für Flüssigchemikalien (engl.).
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3DMAS (Silicone / Low TSiN-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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3MS (Low k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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4DMAS (Silicone / Low TSiN-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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4MS (Low k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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Absolut Ba (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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Absolut Sr (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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AHEAD (Silicone / Low TSiN-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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ALOHA CVD/ALD Materials - Precursor Listing
H.V.M. Products: Low-k materials High-k materials Silicon precursors Metal & Nitride precursors
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ALOHA CVD/ALD Materials - Precursor Specials
Low-k materials High-k materials Silicon precursors Metal & Nitride precursors
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ALPS.3 (Low k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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AVP-Kabinette (für Bulkgebinde)
All Vapor Phase-Kabinette für Bulkgebinde sind speziell für höhere Bedarfe bei in Großgebinden verflüssigten Gasen optimiert. (engl.)
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AVP-Kabinette (für Zylinder)
All Vapor Phase-Kabinette sind speziell für eine hohe Gas-Entnahme bei in der Flasche verflüssigten Gasen optimiert. (engl.)
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BCHD/NBD (Low k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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Bulk-Kabinette JUMBO™
Bulk-Kabinette zur Versorgung mit NF3 oder SiH4 in hohen Abnahmemengen (>100 l / Min.) (engl.).
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CANDI-Serie zur Precursor-Versorgung
Systeme für CVD- und ALD-Prozesse mit hoher Zuverlässigkeit in der Entnahme von allen flüssigen Precursorn sehr niedrigen Dampfdrucks. Ununterbrochene Versorgung durch integrierten Tagestank. Völlig automatisiert (engl.).
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CANDI-Solvent-Serie zur Precursor-Versorgung
Systeme zur Precursor-Versorgung in CVD-und ALD-Prozessen. Integrierter Spülzyklus mit Lösungsmitteln ist besonders für reaktive und schwierig zu spülende Precursor geeignet (engl.).
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Canister LR
UHP Canisters - ALOHA proposes a variety of UHP stainless steel canisters with the specific features that match your application.
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CHORUS (Metal-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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CYPRUS (Metal-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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DEZ (Photovoltaik-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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DIPT (GST-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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DMPS (Low k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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FabChem™ 1000 Pumpsystem
Sehr wirtschaftliches Pumpsystem. Die Versorgung findet direkt von den Behältern aus statt. Automatische Back-up Modes machen dieses System extrem sicher (engl.).
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FabChem™ 2000 Drucktanksystem
Vollautomatisches Drucktanksystem zur Chemikalien-Versorgung aus einem unter leichtem Druck stehenden Tagestank. Überdurchschnittlich hohe Uptime durch automatische Back-up Modes (engl.).
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FabChem™ 3000 Hochreines Drucktanksystem
Hochreines Drucktanksystem zur Chemikalien-Versorgung neuester Nanotechnologie-Prozesse. Enthält zwei redundante Pumpen mit automatischer Umschaltung, die das Produkt direkt zum Point-of-use befördern (hohe Up-Time) (engl.).
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FabChem™ 5000 Druckstufensystem
System mit patentierter Druckstufentechnologie zur Versorgung mit hohen Mengen Chemikalien in hoher Qualität (engl.).
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FabChem™ DIL Online
Produktinformation zum Online Blender (engl.).
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FabStream Gas-Kabinette
Gas-Kabinett-Serie zur Versorgung mit allen Prozessgasen für 300mm Fabs in der Primärelektronik. In manueller, semiautomatischer und vollautomatischer Ausführung (engl.).
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FabStream II Gas-Kabinette
Semi- oder vollautomatische Kabinette zur Versorgung mit inerten Gasen in der Primärelektronik. Integrierte Steuerung stellt ununterbrochene Entnahme und gleichbleibende Gasqualität sicher (engl.).
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FabStream III Gas-Kabinette
Vollautomatische Kabinette für alle verflüssigten Prozessgase mit niedrigem Dampfdruck (engl.).
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HCDS (Silicone / Low TSiN-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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Hexane (Catalysts & Solvents)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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HMDSO (Low k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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HTB (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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Hyper Ba (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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Hyper Sr (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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Low TSiN-Precursor
Produktinformation enthält die wichtigsten Informationen zu den drei von Air Liquide empfohlenen Low TSiN-Precursorn: TSA, AHEAD™ und HCDS (engl.).
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Octane (Catalysts & Solvents)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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OMCTS (Low k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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POCl3 (Photvoltaik-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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Pyridine (Catalysts & Solvents)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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RuEtCp2 (Metal-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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SAM.24 (Silicone / Low TSiN-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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SnCl4 (Photovolatik-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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Star Ti (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TAETO (High k-Precursor
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TaF5 (Metal-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TaPeDiS (Metal-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TBOS (Silicone / Low TSiN-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TBTDET (Metal-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TDEAA (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TDEAH (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TDEAT (Metal-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TDMAGe (GST-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TDMAH (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TDMASb (GST-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TDMAT (Metal-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TEMAH (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TEMASi (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TEMAT (Metal-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TEMAZ (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TiCl4 (Metal-Precursor)
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TMA (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TMCTS (Low k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TMDSO (Low k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TMOS (Silicone / Low TSiN-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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ToRuS (Metal-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TPOS (Silicone / Low TSiN-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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TSA (Silicone / Low TSiN-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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UPAS: "Universal Plasma Abatement System"
Abgasreinigungssystem für Ätzprozesse in der Primärelektronik, das auf Mikrowellentechnologie basiert und Sauerstoff (O2) als reaktives Gas nutzt (engl.).
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Yttrium (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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Z/HC3BO (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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ZyALD (High k-Precursor)
Datenblatt (engl.). Enthält z.B. Spezifikationen, Phys.-Chem. Eigenschaften, Anwendungshinweise etc.
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Bedarfsgerechte Versorgung
Kaltvergaser und Kältetanks für tiefkalt verflüssigte Gase: Technische Daten und Behälterklassen, Informationen zur Zulassung und Abnahme
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Cryogene Leitungssysteme
Vakuumsuperisolierte Transferleitungssysteme sowie dazugehöriges Equipment zur Beförderung tiefkalt verflüssigter Gase aus den Behältern zum "Point of use"
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Lieferservice plus
Das Service-Paket von Air Liquide rund um den Zylinder
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Wasserstoff - ein Element mit Zukunft
Daten und Fakten rund um Wasserstoff: Produktion, Distribution, Anwendungsgebiete
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